硅-藍(lan)(lan)輝(hui)石由(you)單晶硅電(dian)耐壓(ya)(ya)體金屬(shu)元素(su)(su)(su)組(zu)成的(de)(de)，不用(yong)形(xing)(xing)成有(you)一(yi)定(ding)的(de)(de)滯(zhi)后性、強度(du)疲勞(lao)和(he)(he)應(ying)力松弛現狀(zhuang)；藍(lan)(lan)輝(hui)石會有(you)越(yue)來越(yue)好(hao)的(de)(de)伸縮(suo)性和(he)(he)電(dian)耐壓(ya)(ya)基(ji)本(ben)特(te)征（1000℃球(qiu)以內），對氣溫變(bian)(bian)遷(qian)不脆弱，就算在高(gao)溫度(du)的(de)(de)條件(jian)(jian)下，也會有(you)極(ji)好(hao)的(de)(de)工(gong)作任務基(ji)本(ben)特(te)征；藍(lan)(lan)輝(hui)石的(de)(de)抗輔射基(ji)本(ben)特(te)征極(ji)大；另(ling)一(yi)方(fang)面(mian)，硅-藍(lan)(lan)輝(hui)石半導體芯片(pian)脆弱元器(qi)件(jian)(jian)，無p-n漂移(yi)，那么，可用(yong)于(yu)各(ge)式各(ge)樣麻煩的(de)(de)環境地方(fang)。感測(ce)器(qi)器(qi)由(you)雙膜(mo)片(pian)定(ding)義：碳(tan)素(su)(su)(su)鋼(gang)類(lei)(lei)(lei)類(lei)(lei)(lei)側(ce)量膜(mo)片(pian)和(he)(he)碳(tan)素(su)(su)(su)鋼(gang)類(lei)(lei)(lei)類(lei)(lei)(lei)受(shou)到膜(mo)片(pian)。噴(pen)涂有(you)異質外延性性應(ying)變(bian)(bian)力脆弱電(dian)橋用(yong)電(dian)線路的(de)(de)藍(lan)(lan)輝(hui)石膜(mo)片(pian)，被(bei)(bei)熔焊在碳(tan)素(su)(su)(su)鋼(gang)類(lei)(lei)(lei)類(lei)(lei)(lei)側(ce)量膜(mo)片(pian)上。被(bei)(bei)測(ce)負(fu)擔傳大到受(shou)到膜(mo)片(pian)上。在負(fu)擔的(de)(de)功效下，碳(tan)素(su)(su)(su)鋼(gang)類(lei)(lei)(lei)類(lei)(lei)(lei)受(shou)到膜(mo)片(pian)會產生塑(su)性變(bian)(bian)形(xing)(xing)，該(gai)塑(su)性變(bian)(bian)形(xing)(xing)被(bei)(bei)硅-藍(lan)(lan)輝(hui)石脆弱元器(qi)件(jian)(jian)情(qing)緒識別后，其電(dian)橋效果(guo)會形(xing)(xing)成變(bian)(bian)遷(qian)，變(bian)(bian)遷(qian)的(de)(de)升幅與(yu)被(bei)(bei)測(ce)負(fu)擔不成比例。電(dian)橋用(yong)電(dian)線路將電(dian)橋的(de)(de)平衡信息，換算為額定(ding)電(dian)壓(ya)(ya)信息效果(guo)。